隨著科技的發(fā)展，使用磁控濺射鍍膜設(shè)備對(duì)顆粒狀物體鍍膜已經(jīng)不再是一件難事。特別是在顆粒狀金屬物體表面使用鍍膜技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟。這是應(yīng)為顆粒物體表面積能都比較大，其之間能夠容易進(jìn)行團(tuán)聚，曲率半徑卻是小的，因此在顆粒狀物體表面上使用磁控雖然可行，但是其難度系數(shù)也是非常大的。

CCZK-SF磁控濺射鍍膜設(shè)備

    國(guó)外在顆粒表面使用鍍膜技術(shù)基本上是采用無(wú)極化學(xué)鍍，這種技術(shù)相對(duì)來(lái)講是比較成熟的，但是所鍍出來(lái)的膜質(zhì)量較差，差在哪里呢？其薄膜福海均勻性達(dá)不到要求，且表面居多裂痕，附著力比較差，且鍍液對(duì)環(huán)境造成的影響是非常的大的。

    而我國(guó)采用的微顆粒磁控濺射鍍膜設(shè)備。主要由真空室、陰極靶、樣品架、樣品皿、加熱器、真空抽氣裝置、氬氣通氣口、放氣閥、密封圈、振動(dòng)發(fā)生器等組成. 本設(shè)備是在普通直流磁控濺射鍍膜設(shè)備的基礎(chǔ)上，增加了一個(gè)超聲波振動(dòng)發(fā)生器，濺射鍍膜時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)樣品架的擺動(dòng)頻率和超聲波的振動(dòng)功率，使每個(gè)微顆粒都能維持一個(gè)良好的分散狀態(tài)和較好的流動(dòng)性，使每個(gè)微顆粒都有機(jī)會(huì)充分地暴露其表面，并通過(guò)調(diào)節(jié)真空室內(nèi)的工作氣壓、濺射功率、溫度和濺射時(shí)間等工藝條件，就可以在微顆粒表面沉積上金屬薄膜。

磁控濺射鍍膜設(shè)備制備的濺射薄膜的特點(diǎn)

    使用這種設(shè)備對(duì)微顆粒進(jìn)行磁控濺射鍍膜的好處就是能夠使得每個(gè)微顆粒的表面都能夠等概率的暴露。從而使得每個(gè)表面都能夠堵上均勻，致密，附著力好，無(wú)裂痕的薄膜。

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